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Placa de bandejas de carburo de silicio placas de bandejas de wafers de silicio para grabado ICP MOCVD Susceptor resistente al desgaste
Datos del producto:
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | bandeja de obleas de SiC |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5 |
|---|---|
| Tiempo de entrega: | Entre 2 y 4 semanas |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 5 |
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Información detallada |
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| Lugar de origen: | China ZMSH | Composición química: | Grafito revestido con SiC |
|---|---|---|---|
| Fuerza de flexión: | 470Mpa | Conductividad termal:: | 300 W/mK |
| Función: | CVD-SiC | Densidad: | 3.21 g/cc |
| Extensión termal: | 4 10-6/K | Ceniza: | < 5 ppm |
| Código del SH: | 6903100000 | Conductividad termal:: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-°C) |
| Alta luz: | ICP grabado en bandejas de carburo de silicio,Las placas de carburo de silicio MOCVD susceptor,Las bandejas de carburo de silicio resistentes al desgaste |
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Descripción de producto
Placa de bandejas de carburo de silicio placas de bandejas de wafers de silicio para grabado ICP MOCVD Susceptor resistente al desgaste
Descripción
Las bandejas de grafito recubiertas con SIC se fabrican a partir de matrices de grafito de alta pureza, recibiendo un recubrimiento de SiC a través de CVD (deposición de vapor químico) con una pureza excepcionalmente alta y densidad teórica.Este revestimiento CVD SiC es excepcionalmente duro., lo que permite pulirlo hasta un acabado especular, exhibiendo una pureza ultra alta y una notable resistencia al desgaste.lo que los hace ideales para la industria de semiconductores y otros entornos ultralimpiosSe utilizan principalmente como sustratos para la formación de capas epitaxiales en obleas semiconductoras, ofrecen varias ventajas, como superficies de ultra alta pureza y resistencia al desgaste superior.Con CVD que garantiza recubrimientos de SiC con poros mínimos y la naturaleza pulida del carburo de silicio, estos productos encuentran una amplia aplicación en las industrias de semiconductores, incluidas las bandejas MOCVD, RTP y cámaras de grabado de óxido,debido a la excelente resistencia al choque térmico y resistencia al plasma del nitruro de silicio.
Presentación de productos
Propiedades del producto
- Ultra alta pureza
- Excelente resistencia al choque térmico
- Excelente resistencia al impacto físico
- Mecanizabilidad para formas complejas
- Excelente estabilidad química
- Puede utilizarse en atmósferas oxidantes.
| Punto de trabajo | Unidad | Parámetros técnicos | |
|---|---|---|---|
| El material del tren | - ¿Qué quieres decir? | SSiC | Sección 2 |
| El color | - ¿Qué quieres decir? | Negro | Negro |
| Densidad | G/cm3 | 3.12 | 3.06 |
| Absorción de agua | % | 0 | 0 |
| HRA | - ¿Qué quieres decir? | ≥ 92 años | ≥ 90 años |
| Módulo de elasticidad | El promedio | 400 | 350 |
| Fuerza flexular (@R.T.) | En el caso de las | 359 | 300 |
| Fuerza de compresión (@R.T.) | En el caso de las | ≥ 2200 | 2000 |
| Conductividad térmica (@R.T.) | En el caso de los vehículos de motor | 110 | 100 |
|
Coeficiente de expansión térmica (20 a 1000 °C) |
10-6 años/°C | 4.0 | 4.0 |
| Temperatura de trabajo máxima | °C | 1500 | 1300 |
Aplicación del producto
ICP grabado:Las bandejas de carburo de silicio son componentes cruciales en los sistemas de grabado ICP (plasma acoplado inductivamente), donde sirven como plataformas robustas para sostener y procesar obleas de semiconductores.La naturaleza resistente al desgaste de las bandejas garantiza una fiabilidad y consistencia prolongadas durante el proceso de grabado, lo que contribuye a la transferencia precisa de patrones y a la modificación de la superficie de las obleas.
Suspecto de MOCVD:En los sistemas MOCVD, las bandejas de carburo de silicio actúan como susceptores, proporcionando un soporte estable para la deposición de películas delgadas en sustratos de semiconductores.La capacidad de las bandejas para mantener una alta pureza y soportar temperaturas elevadas las hace ideales para facilitar el crecimiento de capas epitaxiales de calidad superior y uniformidad.
Resistencia al desgaste:Equipadas con recubrimiento de SiC, estas bandejas presentan una resistencia al desgaste excepcional, lo que garantiza una vida útil prolongada incluso en condiciones de funcionamiento exigentes.Su resistencia a la abrasión y la degradación química mejora la productividad y reduce al mínimo el tiempo de inactividad, por lo que son indispensables en entornos de fabricación de semiconductores de alto rendimiento.
La bandeja de grafito recubierta con SIC se utiliza como base para fijar y calentar obleas de semiconductores durante el tratamiento térmico.y su resistencia al choque térmicoEn el proceso de epitaxia de silicio, la oblea se lleva sobre una base,y el rendimiento y la calidad de la base tienen un efecto crucial en la calidad de la capa epitaxial de la oblea.
Pregunta y respuesta
¿Qué es el susceptor de grafito?
Susceptores y muffles de materiales de grafitoProteger el sinterizador de las influencias externas, como la radiación térmica directa de los elementos de calefacciónSe calientan a sí mismos y emiten su calor uniformemente a las piezas de trabajo, evitando el sobrecalentamiento local (los llamados puntos calientes).
¿Qué es el recubrimiento de SiC?
¿Qué es un recubrimiento de carburo de silicio?un revestimiento denso de carburo de silicio (SiC) resistente al desgasteTiene altas propiedades de resistencia a la corrosión y al calor, así como una excelente conductividad térmica.Aplicaciones.
¿Qué es el grafito de carburo de silicio?
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Palabras clave:
- Envases de carburo de silicio
- Revestimiento de SiC
- CVD (deposición de vapor químico)
- Alta pureza
- Resistente al desgaste
- Industria de semiconductores
- Capa epitaxial
- Se trata de un sistema de control.
- Resistencia al choque térmico
- Opciones personalizables