4" silicio en el grado 4H de la prima de la producción de las obleas del zafiro N-dopó sic las obleas
Datos del producto:
Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | ZMKJ |
Número de modelo: | P-grado 4inch |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1pcs |
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Precio: | 600-1500usd/pcs by FOB |
Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
Tiempo de entrega: | 1-6weeks |
Condiciones de pago: | T / T, Western Union, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
Información detallada |
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Materiales: | Tipo del cristal sic solo 4H-N | Grado: | Maniquí/grado de /Production de la investigación |
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Thicnkss: | 350um o 500um | Suraface: | CMP/MP |
Aplicación: | prueba de pulido del fabricante del dispositivo | Diámetro: | 100±0.3m m |
Alta luz: | substrato del carburo de silicio,sic oblea |
Descripción de producto
Obleas de los substratos del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m del grado 6inch de la prueba 4H-N (sic), de los lingotes substratos sic cristalinos del semiconductor sic, de silicio del carburo de la oblea cristalina de Customzied del como-corte obleas sic
Sobre cristal del carburo de silicio (sic)
El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias
especificación del substrato del carburo de silicio de 4 pulgadas de diámetro (sic)
Grado |
Grado cero de la producción de MPD (Grado de Z) |
Grado de la producción (Grado de P) |
Grado simulado (grado de D) |
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Diámetro |
99.5-100 milímetros |
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Grueso |
4H-N |
350 μm±25μm |
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4H-SI |
500 μm±25μm |
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Orientación de la oblea |
De eje: 4.0°toward<> 1120 > ±0.5° para 4H-N en eje: <0001>±0.5° para 4H-SI |
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Densidad de Micropipe |
4H-N |
≤0.5cm-2 |
≤2cm2s |
≤15cm2s |
4H-SI |
≤1cm-2 |
≤5cm2s |
≤15cm2s |
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Resistencia |
4H-N |
0.015~0.025 Ω·cm |
0.015~0.028 Ω·cm |
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4H-SI |
≥1E7Ω·cm |
≥1E5Ω·cm |
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Plano primario |
{10-10} ±5.0° |
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Longitud plana primaria |
32,5 mm±2.0 milímetro |
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Longitud plana secundaria |
18.0mm±2.0 milímetro |
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Orientación plana secundaria |
Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero |
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Exclusión del borde |
2 milímetros |
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LTV/TTV/Bow /Warp |
≤los4μm/≤10μm/≤25μm/≤35μm |
≤el10μm/≤15μm/≤25μm/≤40μm |
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Aspereza |
≤ polaco del Ra1nanómetro |
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≤ del Ra del CMP0,5nanómetros |
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Grietas por la luz de intensidad alta |
Ninguno |
≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud |
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Placas del hex. por la luz de intensidad alta |
≤ acumulativo0,05%del área |
≤ acumulativo0,1%del área |
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Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta |
Ninguno |
≤ acumulativo el3%del área |
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Inclusiones visuales del carbono |
≤ acumulativo0,05%del área |
≤ acumulativo el3%del área |
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Rasguños por la luz de intensidad alta |
Ninguno |
Diámetro acumulativo del×waferdel ≤1 de la longitud |
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Microprocesador del borde |
Ninguno |
5 permitidos, ≤1milímetropor cada uno |
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Contaminación por la luz de intensidad alta |
Ninguno |
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Empaquetado |
casete de la Multi-oblea o solo envase de la oblea |
Notas:
* los límites de los defectos se aplican a la superficie entera de la oblea a excepción del área de exclusión del borde. # los rasguños se deben comprobar cara del Si solamente.
Tipo 4H-N/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H |
oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic 2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic |
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H |
Tamaño de Customzied para 2-6inch
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Ventas y servicio de atención al cliente
Compra de los materiales
El departamento de compra de los materiales es responsable recolectar todas las materias primas necesarias para producir su producto. La rastreabilidad completa de todos los productos y materiales, incluyendo análisis químico y físico está siempre disponible.
Calidad
Durante y después de la fabricación o de trabajar a máquina de sus productos, el departamento del control de calidad está implicado en asegurarse de que todos los materiales y tolerancias resuelven o exceden su especificación.
Servicio
Nos enorgullecemos en tener el personal de la ingeniería de ventas con durante 5 años de experiencias en la industria del semiconductor. Se entrenan para contestar a preguntas técnicas así como para proporcionar las citas oportunas para sus necesidades.
estamos en su lado por en cualquier momento cuando usted tiene problema, y lo resolvemos en 10hours.