2 / /6inch la oblea 4H-N del carburo de silicio 3/4/semi mecanografía sic los lingotes industriales
Datos del producto:
Lugar de origen: | CHINA |
Nombre de la marca: | ZMKJ |
Número de modelo: | 4inch sic abulta |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 3pcs |
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Precio: | by case |
Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
Tiempo de entrega: | 2-5weeks |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
Información detallada |
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Material: | monocristal de SiC | Dureza: | 9.4 |
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Forma: | Modificado para requisitos particulares | Tolerancia: | ±0.1mm |
Uso: | oblea de la semilla, reflector | Tipo: | 4h-n |
Diámetro: | 4inch 6inch 8inch | Grueso: | autorización de 5-15m m |
resistencia: | los 0.015~0.028ohm.cm | Color: | color Té-verde |
Alta luz: | oblea del carburo de silicio 6inch,Sic oblea industrial,oblea del carburo de silicio 4H-Semi |
Descripción de producto
Las obleas de alta calidad del carburo de silicio de las obleas del Silicio-en-aislador SIC modificaron el metal de alta calidad del espejo para requisitos particulares sic esférico de la alta precisión Dia.700mm que el reflector óptico modificó las obleas ópticas de los lingotes para requisitos particulares del reflector 2inch/3inch/4inch/6inch/8inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC de Dia.500mm del metal esférico plateado de alta calidad del reflector/de los substratos del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m de la pureza elevada 4H-N 4inch 6inch (sic),
Nombre de producto
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Espejo plano del metal
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Material
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Silicio monocristalino
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Diámetro
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500m m
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Calidad superficial
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60-40
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Exactitud superficial
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Picovoltio: 1/4 lambda; RMS: Lambda 1/30
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Capa
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El Reflectivity>90% Película de capa: @200-1100nm
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Uso
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Sistema reflector
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Propiedad | 4H-SiC, solo cristal | 6H-SiC, solo cristal |
Parámetros del enrejado | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
Amontonamiento de secuencia | ABCB | ABCACB |
Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Densidad | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
Therm. Coeficiente de la extensión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Índice @750nm de la refracción |
ningunos = 2,61 ne = 2,66 |
ningunos = 2,60 ne = 2,65 |
Constante dieléctrica | c~9.66 | c~9.66 |
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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Conductividad termal (semiaislante) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
Banda-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
Campo eléctrico de la avería | los 3-5×106V/cm | los 3-5×106V/cm |
Velocidad de deriva de la saturación | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H |
oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic 2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic |
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H |
Tamaño de Customzied para 2-6inch
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El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de
los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en de alta potencia
LED.
Propiedades | unidad | Silicio | Sic | GaN |
Anchura de Bandgap | eV | 1,12 | 3,26 | 3,41 |
Campo de la avería | MV/cm | 0,23 | 2,2 | 3,3 |
Movilidad de electrón | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
Valocity de la deriva | 10^7 cm/s | 1 | 2,7 | 2,5 |
Conductividad termal | W/cmK | 1,5 | 3,8 | 1,3 |
Sobre ZMKJ Company
ZMKJ puede proporciona la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación, con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes, comparadas a la oblea de silicio y a la oblea del GaAs, sic oblea son más convenientes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en pulgada del diámetro 2-6, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.
FAQ:
Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?
: (1) aceptamos DHL, Fedex, el ccsme etc.
(2) es muy bien si usted tiene su propia cuenta expresa, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y
La carga está de acuerdo con el acuerdo real.
Q: ¿Cómo pagar?
: Depósito de T/T el 100% antes de la entrega.
Q: ¿Cuál es su MOQ?
: (1) para el inventario, el MOQ es 1pcs. si 2-5pcs él es mejor.
(2) para los productos comunes modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
: (1) para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 -4 semanas después de usted contacto de la orden.
Q: ¿Usted tiene productos estándar?
: Nuestros productos estándar en existencia. como substratos similares 4inch 0.35m m.