4H-SEMI lente sin impurificar transparente de la dureza 9,0 sic
Datos del producto:
Lugar de origen: | CHINA |
Nombre de la marca: | ZMKJ |
Número de modelo: | de la forma lente customzied sic |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1pcs |
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Precio: | by case |
Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
Tiempo de entrega: | 1-6weeks |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
Información detallada |
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Material: | Cristal sic solo | Dureza: | 9,0 |
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Forma: | Modificado para requisitos particulares | Tolerancia: | ±0.05mm |
Uso: | Lente óptica | Tipo: | 4H-SEMI |
diámetro: | Modificado para requisitos particulares | Resistencia: | >1E8 |
color: | transparente | ||
Alta luz: | Lente de la dureza 9,0 sic,Sic lente 4H-SEMI |
Descripción de producto
2 pulgadas/3 pulgadas/4 pulgadas/6 pulgadas 6H-N/4H-SEMI/4H-N lingotes SIC/alta pureza 4H-N 4 pulgadas 6 pulgadas de diámetro 150mm carburo de silicio monocristalino (sic) sustratos obleas,
Lente sic de forma personalizada transparente de alta pureza 4H-SEMI sin dopar Dureza 9.0
Acerca del cristal de carburo de silicio (SiC)
Propiedad | 4H-SiC, monocristal | 6H-SiC, monocristal |
Parámetros de celosía | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
Secuencia de apilamiento | ABCB | ABCACB |
Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Densidad | 3,21g/cm3 | 3,21g/cm3 |
Termia.Coeficiente de expansión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Índice de refracción @750nm |
no = 2,61 ne = 2,66 |
no = 2,60 ne = 2,65 |
Constante dieléctrica | c~9.66 | c~9.66 |
Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
a~4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K |
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Conductividad Térmica (Semi-aislante) |
a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K |
banda prohibida | 3,23 eV | 3,02 eV |
Campo eléctrico de ruptura | 3-5×106 V/cm | 3-5×106 V/cm |
Velocidad de deriva de saturación | 2,0 × 105 m/s | 2,0 × 105 m/s |
Aplicación de SiC en la industria de dispositivos de potencia
En comparación con los dispositivos de silicio, los dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC) pueden lograr de manera efectiva alta eficiencia, miniaturización y peso ligero de los sistemas electrónicos de potencia.La pérdida de energía de los dispositivos de potencia de SiC es solo el 50% de los dispositivos de Si, y la generación de calor es solo el 50% de los dispositivos de silicio, SiC también tiene una densidad de corriente más alta.Con el mismo nivel de potencia, el volumen de los módulos de potencia de SiC es significativamente menor que el de los módulos de potencia de silicio.Tomando como ejemplo el módulo de alimentación inteligente IPM, utilizando dispositivos de alimentación de SiC, el volumen del módulo se puede reducir de 1/3 a 2/3 de los módulos de alimentación de silicio.
Hay tres tipos de diodos de potencia de SiC: diodos Schottky (SBD), diodos PIN y diodos Schottky controlados por barrera de unión (JBS).Debido a la barrera de Schottky, SBD tiene una altura de barrera de unión más baja, por lo que SBD tiene la ventaja de un voltaje directo bajo.La aparición de SiC SBD ha ampliado el rango de aplicación de SBD de 250 V a 1200 V.Además, sus características a alta temperatura son buenas, la corriente de fuga inversa no aumenta de temperatura ambiente a 175 °C. En el campo de aplicación de los rectificadores por encima de 3kV, los diodos SiC PiN y SiC JBS han recibido mucha atención debido a su mayor voltaje de ruptura. , velocidad de conmutación más rápida, tamaño más pequeño y peso más ligero que los rectificadores de silicio.
Los dispositivos MOSFET de potencia de SiC tienen una resistencia de compuerta ideal, rendimiento de conmutación de alta velocidad, baja resistencia de encendido y alta estabilidad.Es el dispositivo preferido en el campo de los dispositivos de potencia por debajo de 300V.Hay informes de que se ha desarrollado con éxito un MOSFET de carburo de silicio con un voltaje de bloqueo de 10 kV.Los investigadores creen que los MOSFET de SiC ocuparán una posición ventajosa en el campo de 3kV - 5kV.
Los transistores bipolares de puerta aislada de SiC (SiC BJT, SiC IGBT) y los tiristores de SiC (SiC Thyristor), los dispositivos IGBT tipo P de SiC con un voltaje de bloqueo de 12 kV tienen una buena capacidad de corriente directa.En comparación con los transistores bipolares de Si, los transistores bipolares de SiC tienen pérdidas de conmutación entre 20 y 50 veces menores y una caída de voltaje de encendido más baja.SiC BJT se divide principalmente en emisor epitaxial BJT y emisor de implantación de iones BJT, la ganancia de corriente típica es entre 10-50.
Propiedades | unidad | Silicio | Sic | GaN |
Ancho de banda prohibida | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
campo de desglose | MV/cm | 0.23 | 2.2 | 3.3 |
movilidad de electrones | cm^2/vs | 1400 | 950 | 1500 |
Valor de la deriva | 10^7 cm/segundo | 1 | 2.7 | 2.5 |
Conductividad térmica | ancho/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |
Acerca de la empresa ZMKJ
ZMKJ puede proporcionar oblea de SiC de cristal único (carburo de silicio) de alta calidad para la industria electrónica y optoelectrónica.La oblea de SiC es un material semiconductor de próxima generación, con propiedades eléctricas únicas y excelentes propiedades térmicas, en comparación con la oblea de silicio y la oblea de GaAs, la oblea de SiC es más adecuada para aplicaciones de dispositivos de alta temperatura y alta potencia.La oblea de SiC se puede suministrar en un diámetro de 2-6 pulgadas, tanto 4H como 6H SiC, tipo N, dopado con nitrógeno y tipo semiaislante disponible.Póngase en contacto con nosotros para obtener más información sobre el producto.
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