Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G
Datos del producto:
Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | ZMKJ |
Número de modelo: | 4 pulgadas - pureza elevada |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1pcs |
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Precio: | 1000-2000usd/pcs by FOB |
Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
Tiempo de entrega: | 1-6weeks |
Condiciones de pago: | T / T, Western Union, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
Información detallada |
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Materiales: | Tipo del solo cristal 4H-semi de la pureza sic elevada | Grado: | Maniquí/grado de /Production de la investigación |
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Thicnkss: | 500um | Suraface: | CMP/MP |
Aplicación: | dispositivo 5G | Diámetro: | 100±0.3m m |
Alta luz: | substrato del carburo de silicio,sic oblea |
Descripción de producto
Obleas de los substratos del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m de la pureza elevada 4H-N 4inch 6inch (sic), de los lingotes substratos sic cristalinos del semiconductor sic, de silicio del carburo de la oblea cristalina de Customzied del como-corte obleas sic
Sobre cristal del carburo de silicio (sic)
El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.
PROPIEDADES del solo cristal 4H-SiC
- Parámetros del enrejado: a=3.073Å c=10.053Å
- Amontonamiento de secuencia: ABCB
- Dureza de Mohs: ≈9.2
- Densidad: 3,21 g/cm3
- Therm. Coeficiente de la extensión: 4-5×10-6/K
- Índice de la refracción: ne= 2,66 del no= 2,61
- Constante dieléctrica: 9,6
- Conductividad termal: a~4.2 W/cm·K@298K
- (N-tipo, 0,02 ohm.cm) c~3.7 W/cm·K@298K
- Conductividad termal: a~4.9 W/cm·K@298K
- C~3.9 (semiaislante) W/cm·K@298K
- Banda-Gap: 3,23 eV Banda-Gap: eV 3,02
- Campo eléctrico de la avería: 3-5×10 los 6V/m
- Velocidad de deriva de la saturación: 2.0×105m/
Especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro de la pureza elevada 4inch (sic)
4 especificaciones del substrato del carburo de silicio de la pureza elevada 4H de la pulgada de diámetro
PROPIEDAD DEL SUBSTRATO |
Grado de la producción |
Grado de la investigación |
Grado simulado |
Diámetro |
100,0 milímetro +0.0/-0.5milímetros |
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Orientación superficial |
{0001} ±0.2° |
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Orientación plana primaria |
<11->20> ̊ del ± 5,0 |
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Orientación plana secundaria |
90,0 ̊ CW del ̊ primario del ± 5,0, silicio cara arriba |
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Longitud plana primaria |
32,5 milímetros ±2.0 milímetro |
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Longitud plana secundaria |
18,0 milímetros ±2.0 milímetro |
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Borde de la oblea |
Chaflán |
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Densidad de Micropipe |
cm2s de ≤5 micropipes/ |
cm2sdel ≤10micropipes/ |
cm2s de ≤50 micropipes/ |
Áreas de Polytype por la luz de alta intensidad |
Ningunos permitieron |
áreadel ≤el10% |
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Resistencia |
≥1E5 Ω·cm |
(área el 75%) ≥1E5 Ω·cm |
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Grueso |
350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm |
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TTV |
≦el10μm |
μmdel ≦15 |
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Arco (valor absoluto) |
μmdel ≦25 |
μmdel ≦30 |
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Deformación |
μmdel ≦45 |
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Final superficial |
Polaco doble del lado, CMP de la cara del Si (pulido de la sustancia química) |
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Aspereza superficial |
Cara Ra≤0.5 nanómetro del CMP Si |
N/A |
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Grietas por la luz de alta intensidad |
Ningunos permitieron |
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Microprocesadores/mellas del borde por la iluminación difusa |
Ningunos permitieron |
Qty.2<> anchura y profundidad de 1,0 milímetros |
Qty.2<> anchura y profundidad de 1,0 milímetros |
Área usable total |
el ≥90% |
el ≥80% |
N/A |
el *The otras especificaciones se puede modificar para requisitos particulares según los requisitos de cliente
6 pulgadas - de alto - especificaciones semiaislantes de los substratos 4H-SiC de la pureza
Propiedad |
Grado de U (ultra) |
Grado de P (producción) |
Grado de R (investigación) |
Grado (simulado) de D |
Diámetro |
150,0 mm±0.25 milímetro |
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Orientación superficial |
{± 0.2° de 0001} |
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Orientación plana primaria |
<11-20> ̊ del ± 5,0 |
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Orientación plana secundaria |
N/A |
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Longitud plana primaria |
47,5 milímetros ±1.5 milímetro |
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Longitud plana secundaria |
Ninguno |
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Borde de la oblea |
Chaflán |
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Densidad de Micropipe |
≤1 /cm2 |
≤5 /cm2 |
≤10 /cm2 |
≤50 /cm2 |
Área de Polytype por la luz de alta intensidad |
Ninguno |
≤ el 10% |
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Resistencia |
≥1E7 Ω·cm |
(área el 75%) ≥1E7 Ω·cm |
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Grueso |
350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm |
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TTV |
μmdel ≦10 |
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Arco (valor absoluto) |
μmdel ≦40 |
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Deformación |
μmdel ≦60 |
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Final superficial |
C-cara: Haber pulido óptico, Si-cara: CMP |
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Aspereza (10μm del ×10delμm) |
Ra de la Si-cara del CMP<> 0,5 nanómetros |
N/A |
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Grieta por la luz de alta intensidad |
Ninguno |
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Microprocesadores/mellas del borde por la iluminación difusa |
Ninguno |
Qty≤2, la longitud y anchura de cada<> 1m m |
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Área eficaz |
el ≥90% |
el ≥80% |
N/A |
* los límites de los defectos se aplican a la superficie entera de la oblea a excepción del área de exclusión del borde. # los rasguños se deben comprobar cara del Si solamente.
Tipo 4H-N/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H |
oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic 2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic |
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H |
Tamaño de Customzied para 2-6inch
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Ventas y servicio de atención al cliente
Compra de los materiales
El departamento de compra de los materiales es responsable recolectar todas las materias primas necesarias para producir su producto. La rastreabilidad completa de todos los productos y materiales, incluyendo análisis químico y físico está siempre disponible.
Calidad
Durante y después de la fabricación o de trabajar a máquina de sus productos, el departamento del control de calidad está implicado en asegurarse de que todos los materiales y tolerancias resuelven o exceden su especificación.
Servicio
Nos enorgullecemos en tener el personal de la ingeniería de ventas con durante 5 años de experiencias en la industria del semiconductor. Se entrenan para contestar a preguntas técnicas así como para proporcionar las citas oportunas para sus necesidades.
estamos en su lado por en cualquier momento cuando usted tiene problema, y lo resolvemos en 10hours.